Название: Теплоснабжение: Учебное пособие для студентов вузов.
Автор: Козин В.Е., Левина Т.А.
Год: 1980
Страниц: 408
Язык: русский
Формат: djvu
Размер: 9.3 МБ
В книге изложены основы теплофикации, описаны системы централизованного теплоснабжения, включая и горячее водоснабжение, конструкции оборудования теплопроводов и автоматики. Приводятся методы расчета оборудования тепловых станций, сетей и абонентских вводов, даются справочные таблицы, необходимые для расчетов оборудования и тепловых сетей.
Предназначается для студентов инженерно-строительных вузов.
Variable frequency drive ATV61H075N4 отличается от частотного преобразователя VFD015S43E реальной номинальной мощностью инвертора, частотой работы PWM-контроллера, алгоритмом работы схемы автодиагностики перебоев частотника, а также главным образом наличием разных аппаратных дополнительных функций, доступных для настройки и выполнения специализированных задач и полностью заменяющих собой промавтоматику для осуществления автоматизированной работы силового производственного оборудования автономно, без контроллеров, промышленных ПК, панелей оператора. Описанные факторы играют важную роль при выборе частотного преобразователя для различных применений.
Тестирование кодов ошибок и последующий надежный ремонт на профессиональном оборудовании частотных преобразователей, которые произведены фирмами Данфосс, delta, веспер и другими мировыми брендами выполняется в фирме prom electric . Снятие и установка IGBT modules, представляющих из себя очень формирующие элементы во всем устройстве преобразовательной техники. Отличие IGBT транзистора от IGBT module заключается в том, что модуль может содержать один или более IGBT транзисторов, иногда включенных параллельно по схеме составного транзистора для увеличения коммутируемой мощности, а также в некоторых случаях схему контроля силы тока. IGBT - биполярный транзистор с изолированным затвором, представляет собой мощный полупроводниковый прибор обычно используемый как электронный ключ для средних и высоких напряжений. Благодаря совмещению преимуществ биполярного транзистора и полевого транзистора достигается большая мощность коммутации и малая необходимая мощность для управления, так как управление осуществляется не током, а разностью потенциалов, что приводит к высокому КПД этих компонетов.